今年 Android 旗艦必備: Snapdragon 835 電量大增, 拍攝新能力, 超快充電及更多

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之前 Qualcomm 已經揭曉繼承 Snapdragon 820 的新一代旗艦手機處理器 Snapdragon 835,今日在 CES 再公佈大量新資料和功能。令今年的 Android 旗艦手機更加值得期待!

Snapdragon 835 首次使用 10nm FinFET 製程來造,在一樣的空間放多 30% 零件或電池。這是個八核處理器,其中 4 個高效核心速度達 2.45 GHz,另外 4 個省電核心就有 1.9GHz。效能提升 27%,同時減少 25% 耗電量,大約等於 2.5 小時使用時間。

支援新一代快速充電 – Quick Charge 4,充電速度快 20%。只需充電 5 分鐘,就能得到 5 小時電量。充 15 分鐘,就能充到 50%。而且對應 Google 指引的 USB-C 快充標準,對充電座和手機本身都有加強安全保護,防止電池過份充電和電流過高。

Snapdragon 835 亦可以幫助提升手機拍攝效果,例如完全支援光學變焦系統和改善自動對焦技術。拍攝影片時數碼防震效果更好,又支援 UHD 4K 影片播放,包括 HDR 10。另一方面是 VR 和 AR 功能,處理 3D 圖像更快,支援多 60 倍顏色顯示。又可能為 VR 帶來「更像真」的聲音。最後還支援 Gigabit LTE、802.11ad Wi-Fi、Bluetooth 5 等最新無線制式。

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